Sistem de evaporare asistată de ioni-de grad industrial- care integrează evaporarea cu fascicul de electroni-cu mai multe buzunar cu o sursă de fascicul de ioni energetic (configurație End-Hall sau Kaufman). Bombardamentul cu ioni-în timp real transferă impulsul cinetic la adatomii în condensare, suprimând creșterea granulelor colonare și conducând densitatea de împachetare-filmului subțire către valorile materialelor în vrac.
Configurat pentru procesarea în loturi pe dispozitive de rotație planetară sub automatizare duală-PLC. Aplicațiile de bază includ acoperiri cu interferență optică cu prag-laser-de deteriorare-înalt (LIDT), stive dense de filtre dielectrice și straturi de protecție durabile.
Specificații tehnice și capacitatea de proces
|
Parametru |
Specificații și capacitate de proces |
|
Presiune de bază finală |
<= 5.0 x 10^-5 Pa (clean, dry, empty chamber) |
|
Pompare-Timp de oprire |
< 15 min from atmosphere to 1.0 x 10^-3 Pa |
|
Construcția Camerei |
Oțel inoxidabil 304L / 316L; electrolustruire internă (Ra<= 0.4 um) |
|
Sursa fasciculului de electroni |
Pistol de măturat cu mai multe buzunar de 6 kW / 10 kW (4 până la 6 creuzete) |
|
Tip sursă de ioni |
Faza-de hol sau Kaufman; Energie: 50 - 300 eV; Curent: 0 - 1000 mA |
|
Temperatura substratului |
Ambient la 300 de grade C (+/- 2 grade C PID de control al uniformității buclei închise-) |
|
Uniformitatea grosimii |
<= +/- 1.0% across a 400 mm deposition zone (with planetary rotation) |
|
Controlul intrinsec al stresului |
<= +/- 50 MPa (Compressive/Tensile tunable via ion energy adjustment) |
|
Repetabilitate indicelui de refracție |
Delta n<= +/- 0.001 verified over 50 consecutive production runs |
|
Disponibilitatea sistemului (timp de funcționare) |
>= 95% disponibilitate operațională în cadrul producției continue în mai multe-ture |
|
Arhitectura de control |
Controler industrial dual-PLC cu interblocări hardware de siguranță și management al rețetelor |
Caracteristici cheie
Bombardarea ionică energetică:Transferul de impuls-în timp real elimină microgolurile, stabilizând indicii de refracție împotriva modificărilor spectrale-induse de umiditate.
Sângerarea gazelor reactive:Injecția controlată cu presiune parțială a O2 sau N2 compensează deficiența de oxigen în timpul depunerii de oxid/nitrur, îndepărtând benzile de absorbție sub-oxidului.
Deck sursă modulară:Înlocuirea grilei sursei de ioni în stil casetă-și buzunarele interschimbabile pentru fascicul E{-reduc timpul de recuperare-la-aiului din cameră la sub 2 ore.
Integritatea vidului:Flanșele ISO/CF etanșate-metal și Viton-sigilate cu robinete pneumatice previn contaminarea-încrucișată între loturi.
Configurarea sistemului de vid
Pachet de degroșare:Suflantă pentru rădăcini susținută de palete rotative sau pompe mecanice cu spirală ermetice-fără ulei.
Pompă de-vacuum mare:Cryogenic pump (cryopump) or magnetically levitated turbomolecular pump (air throughput >= 2200 L/s).
Măsurarea presiunii:Combinație Pirani și indicatori de ionizare cu catod fierbinte-pentru înregistrarea continuă de la atmosferă la vid înalt.
Reglarea presiunii de proces:Manometrul de capacitate cu buclă închisă-acționează o supapă de accelerație fluture automată în timpul injecției de gaz.
Materiale de evaporare și compatibilitate cu substratul
Materiale de evaporare:
Oxizi:SiO2, Ta2O5, TiO2, Nb2O5, HfO2
Fluoruri:MgF2, LaF3
Metale:Au, Ag, Al, Cr, Ti
Materiale suport:
Sticlă optică (BK7, silice topită, cuarț)
Plachete semiconductoare (siliciu, arseniură de galiu)
Cristale (LiNbO3, Safir, YAG)
Geometria dispozitivului:Cuști cu rotație planetară personalizate, dispozitive de fixare cu dom și suporturi plate-plate concepute pentru volume specifice de loturi.
Aplicații și dovezi empirice de performanță
Filtre de interferență laser:Filtre de bandă îngustă și de margine care necesită rapoarte de extincție cu adâncime de blocare > OD6 la 1064 nm.
Acoperiri anti-reflexive (AR):Acoperiri cu mai multe-straturi AR de bandă largă pentru ferestre cu laser de mare-putere și optica camerei.
Oglinzi de suprafață frontală:Reflectoare metalice cu dispersie redusă-protejate cu straturi dielectrice dure pentru instrumente aerospațiale și de apărare.
Straturi dielectrice semiconductoare:Depunerea filmului dielectric pasiv și izolator pe substraturi-sensibile la temperatură.
Personalizare
Dimensiunea camerei:Diametrele interne scalate de la 700 mm la 1300 mm.
Integrarea sursei:Configurații duble E-, surse de rezistență termică sau configurații de co-depunere.
Nivel de automatizare:Încărcare manuală semi-sau manipulare robotizată complet integrată a substratului cu blocare-de încărcare.
Conformitate:Panouri electrice CE, UL/CSA și pachete de conformitate cu siguranță SEMI S2/S8.
Controlul calității și verificarea fabricii
Detectarea scurgerilor:Testarea scurgerilor de heliu cu spectrometru de masă a tuturor camerelor și etanșărilor la < 1 x 10^-10 Pa*m^3/s.
Inspecție dimensională:Verificarea CMM a flanșelor de montare interioară și profilometria optică care confirmă rugozitatea peretelui camerei (Ra<= 0.4 um).
Arde-în testare:Test de funcționare uscată continuă de 72-ore-a pompelor de vid, a surselor de alimentare de înaltă tensiune și a buclelor de interblocare PLC.
Testarea de acceptare a procesului (FAT):Execuție de acoperire de referință care verifică stabilitatea ratei de depunere și țintele indicelui de refracție în funcție de criteriile pre-acordate.
Instalare și suport tehnic
-Instrucțiuni înainte de instalare:Desenele de amenajare care acoperă apa rece, ventilația de evacuare, sarcinile electrice și capacitatea de greutate a podelei.
Punerea în funcțiune pe-site:Execuția de inginerie pe teren a alinierii mecanice, verificări de scurgeri, conectări la utilitate și testare SAT comună.
Instruire de proces:Instruire pentru operator și întreținere care acoperă programarea rețetelor, întreținerea sursei de ioni și regenerarea pompei.
Suport pentru ciclul de viață:Integrarea interfeței de diagnosticare la distanță și gestionarea stocului de piese de schimb localizate.
FAQ
Î: Cum previne asistența ionică schimbarea lungimii de undă optică?
R: Bombardamentul energetic cu ioni compactează structura filmului prin transferarea impulsului către adatomi, eliminând golurile microscopice. Acest lucru previne absorbția umidității atmosferice, blocând stabilitatea indicelui de refracție și a spectrelor de transmisie.
Î: Care este protocolul de întreținere și timpul de oprire pentru sursa de ioni?
R: Sursele de ioni Hall fără grilă- necesită inspecție internă a componentelor la fiecare 200 până la 300 de ore de proces. Designul de schimb rapid-stil casetei permite tehnicienilor să înlocuiască sau să întrețină optica ionică și să readuce camera la vid în decurs de 2 ore.
Î: Poate sistemul să integreze atât QCM, cât și monitorizarea optică?
A: Da. Configurațiile de monitorizare duală-utiliză QCM pentru ratele inițiale ale stratului de bază și monitorizarea optică (OMS) pentru a urmări extremele de transmisie/reflexie pentru terminarea precisă a stratului de sfert-de undă.
Î: Care sunt cerințele de utilitate principale pentru o cameră standard de 900 mm?
A: 3-phase power (380V / 480V, 50/60 Hz), chilled cooling water (~ 15 to 20 deg C at 4 - 6 bar), compressed air (>= 0.6 MPa) și 99,999% gaze de proces pure (Ar, O2) reglate la 0.2 - 0.3 MPa.
Tag-uri populare: Echipamente cu film subțire cu evaporare asistată de ioni-, China, producători, furnizori, fabrici de echipamente cu film subțire cu evaporare asistată cu ioni-, Echipamente de film subțire pentru aplicații de fabricație a dispozitivelor de inteligență artificială

